今日は１日、出張です。
事務仕事なので、１年に１回くらいですかね、新幹線に乗って出張というのは。とっても珍しいです。
新幹線の中で一番読みたい本は今勉強しているはじめての半導体プロセス (現場の即戦力)
今回の出張の案件で、実際に私がいろいろ動かないといけないのは年度末頃になる予定なんですが、その頃には本業と副業で忙しくなっているはず・・・いや、忙しくなってます。
ということで今日は朝も少し早く出て、帰ってからも勉強時間は取れないと思うので、手短に行きます。
予定より少しスピードアップしながら、「はじめての半導体プロセス」を進めています。後ろのことを考えたら、あんまりのんびりやってられないなと思ったからです。
週末から昨日にかけては、熱処理について学習していました。
熱処理とは、熱を入れることで物性を変化させることを指し、半導体製造プロセスではざっくりと下記２つに分けられます。
- 熱酸化･･･シリコンなどの熱酸化膜の形成
- 熱処理･･･その他の改質（表面平坦化、膜質改善など）
昨日はこのうちの熱酸化膜についてメインに学習をすすめ、関連する明細書を読んだときに気付いたことがあったので簡単にまとめます。
【公開番号】特開2010-50230
【発明の名称】シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハ
【出願人】信越半導体株式会社
こちらを読みました。表面平坦化のための熱処理を行ったあとで、熱酸化膜を生成するプロセスについての明細書です。
まだざっくりと読んだ状態なのですが、今回は「前後につながる感覚」を味わいました。
というのも、先週学習していた洗浄のプロセスがばっちり出てきたからです。
洗浄のプロセスには、「表面ごと汚れをエッチングで取り去る」というなんとも荒業な洗浄方法もあります。
意図しなくても、エッチングしてしまう成分が含まれている洗浄液を使用すると、酸化膜の表面が荒れてしまいます。
荒れたお肌には、どんなに良いファンデーションも乗らないのと同じく、荒れを無くしてからきれいな仮面を・・・いやお化粧をする必要があります。
その辺の内容が、洗浄プロセスをはじめに学習していたことですっと理解できました。
ここまでで３５分。もっと書きたいことはあるのですが、今日はここまでにします。
９／９（日）の学習記録
学習時間：１４ｈ３０ｍ
項目： 洗浄方法・装置についての明細書を読む＋まとめ＋熱処理の学習
目標： １４ｈ １３ｈ３０ｍ
項目： ツール関係の学習
目標： １ｈ 実績：１ｈ
９／１０（月）の学習記録
項目： 半導体プロセス（熱処理）の学習
目標： ６ｈ３０ｍ 実績：６ｈ４０ｍ
９／１１（火）の学習計画
項目： 半導体プロセス（熱処理）の学習
目標： ５ｈ
メモ： 積み残しを調べて、次の項目（不純物導入技術）へ進む
