大きく分けて、ドライとウエット
昨日の記事に引き続き、depositionについてです。
depositionは半導体デバイスの薄膜を形成する（成膜といいます）方法で、
その方法がいくつかありますよ、というところまでお話しました。
方法はざっくり、ドライ方式とウェット方式に分けることができます。
ここでのドライやウェットは、「膜となる原料」をどういう形で
膜を形成したい場所に載せるかの違いを表しています。
･･･なんか、イメージわかないですね。
具体的な例で行きましょう。
ドライ方式代表：ＣＶＤ（化学気相蒸着）
（こちらの画像に落書きしています）
ＣＶＤ（chemical vapor deposition）はメジャーな成膜方法です。
チャンバという反応装置の中にガスを送り込み、
そこに熱やプラズマなどのエネルギーを与えてガスを分解し反応させ、
必要な物質を基板の上にdepositionする方法です。
方法は様々ですが、ドライ方式では必要な物質は気体状になっています。
イメージ的にはこちら。パウダーが上から降り積もった感じです。
（あくまでイメージです。しかしおいしそう）
ウェット方式代表：スピンコート
（画像はこちらから）
こちらは先ほどよりわかりやすいですね。
最終的に膜にしたい成分を、まずは溶剤の中に溶かして液体にします。
それを回転する器具（スピンコーター）に載せ、ぐるぐるっと回転。
すると基板の表面に液体の膜にしたい成分がdepositionされます。
イメージは・・・チョコレートの表面がべとべとしてそうなこちら。
ドライ方式とウェット方式の違いのひとつは
depositionした後そのまま膜として使えるかどうかです。
昨日の最後で、depositionは膜を作る手段で、
膜は半導体デバイスの中の層を分ける役割をしているとお話しました。
昨日の画像をもう一度持ってきました。
（産総研ＨＰより）
緑の横線が、膜になります。
これがベトベトしていたら上に積みあがっていかないですよね。
なので、ウェット方式でdepositionした場合には膜にするには
もうひと手間必要になります。
具体的には乾燥させて中の溶剤を飛ばしたり、
熱処理をして丈夫な膜にするなどの工程です。
結局、depositionはどう訳すの?
ここまで、膜を作る方法には大きく分けるとドライとウェットがあって、
ウェット方式で作ると乾燥させたりする手間が増えますよ、というお話をしました。
どちらも、膜にしたい物質を基板に「付着」させることには変わりません。
ドライ方式の場合、物質を蒸発させて付着させるので、特に「蒸着」と言ったりします。
ウェット方式の場合、液体を塗布して付着させるので「蒸着」とは呼べず、
単に「付着」とするか、「溶液付着」「塗布」と言うことが多いです。
そしてもう一つ、「堆積」という訳語があります。
これは、上で挙げたいろんな「付着」とはレベル感が違う言葉だと捉えています。
膜にしたい物質を「付着」させてから「堆積」させる、
つまり「付着」の結果膜の成分が「堆積」して、膜ができると考えます。
あくまで自分の考えではあるのですが…まとめるとこんな感じです。
ドライで付着（蒸着）したものはそれが積み重なれば堆積され膜になりますが、
ウェットの場合、間に乾燥や熱処理の工程を含みます。
例えば「蒸着し堆積させる」は違和感がないですが
「塗布（溶液付着）し堆積させる」と言うとちょっと引っかかる感じがするのは、
この真ん中の工程をすっ飛ばしているので、
塗布（溶液付着）と堆積がうまく頭の中で繋がらないからでは、と思います。
とはいえ。
特許庁のデータベースで使われ方をいろいろ確認していましたが、
必ずしもきっちり使い分けをされているわけではないです。
大切なのは、「ここでどんな装置を使ってどんな作業が行われているのか」
をイメージできているかどうか、ですよね。
明日は今翻訳している明細書から、depositionの訳し方を確認してみたいと思います。
と言いつつ違うことを書くかもしれませんが・・・
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