学習記録

極めて冷静に考えて、まだまだすぎる

PECVD-patent

進捗状況

月曜日に5時間40分かけて翻訳した770語ほどを、

印刷して2時間半かけて見直し&訂正をして、

8時間半かけて公開訳と比較するという予想外の状況になっています。

 

ものすごく冷静に、「ああ、これはまずいわ」とこの状況を見ている自分がいます。

あと1か月半でトライアル受けられる状況まで持っていくにはどうしたらよいか、と。

 

全ての作業をスピードアップさせなくてはいけませんが、

まずはじっくり原文、公開訳、自分の訳文と向き合って

できていないところや弱点を洗い出していきたいと思います。

applied to について

今対訳学習をしている素材はこちらです。

  • Method and apparatus for reducing copper oxidation and contamination in a semiconductor device
  • 原文(US6355571
  • 公開訳(特開2001-093902

2層(以上)のスタックになっているウエハの第1層の銅酸化物を

水素含有プラズマで取り去り、

その後窒化膜を形成する方法と装置に関する特許明細書・・・

のはずです。公開訳の方はちらっとしか見ておらず、

原文もざっと見て図面の詳細な説明から翻訳作業をはじめています。

 

公開訳との比較に時間がかかっているのは、自分の誤訳なのか、

公開訳がちょっとおかしいのか、はたまた原文がいまいちなのか、

その判断がすぐできていないからです。

つまりは、「当業者の感覚」からはまだまだ程遠いということですよね。

私の英語の理解力の問題も、当然あります。

 

既に1週間分の記事になりそうなくらい「ネタ」が溜まってます。

今日はひとつだけ、書いておきます。

  • 原文:In a plasma process, a controlled plasma is formed adjacent to the wafer by RF energy applied to distribution manifold 202 from RF power supply 222 with susceptor 206 grounded.
  • 公開訳:プラズマ処理では、制御されたプラズマは、RF電源222からのRFエネルギーによりウエーハ付近で形成される。RFエネルギーは、分散マニホルド202に用いられ、サセプタ206は接地されている。
  • 自分の訳:プラズマ処理中、制御されたプラズマは、サセプタ206が接地されているRF電源から分配マニホールド202に印加されたRFエネルギーによって、ウエハ付近で形成される。

上記はプラズマCVD装置の図面です。

画像の青い所がマニホールド(ガスをウエハ上へ分散させる場所;上部電極)、

黄色がサセプタ(ウエハを置く場所;下部電極)、

赤がRF(高周波)電源です。

 

この文章で、下記の2点が気になりました。

 

ひとつは、applied to の訳し方です。

公開訳では「分散マニホルド202に用いられ」と、

「・・・に適用する」の意味で使用しています。

ここでは高周波電圧をかけるわけなので、「applied to」は「・・・に印加する」を

使用する方が適切ではないかと考えます。

 

もう一つは、文章を切るか切らないか、です。

今回の公開訳は、この文章だけでなく、長い文を2文に切っていることが多いです。

1語の長い文章を切るのがどの程度許容されているのかが良くわかりませんが、

この文章、区切る必要があるのだろうかと感じました。

ただ、区切らないとそれはそれで、私の訳のように確かに長ったらしくなりますね。

主語と述語が遠くなってわかりづらくなりがち、というのが私の癖の一つなんですが、

それがこの文章にも出てますね。

今の時点で良い訳が思いつかないので、これはこれで少しおいておきます。

 

なぜか文字装飾のコードを入れても反映されなくなってしまい、

いつも通りだらだらと読みづらくなってしまってすみません。

ブログの設定も、なかなか難しい・・・

学習記録

9/26(水)の学習記録

項目: 対訳学習
目標: 6h30m  実績:6h10m
メモ: 前回翻訳分の公開訳と比較の続き+翻訳作業を続ける

9/27(木)の学習計画

項目: 対訳学習
目標: 6h50m 

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